IGBTのパッケージアップグレードプランを推奨 2023-07-12

IGBT モジュールの MOSFET 構造により、IGBT のゲートは酸化膜層を介してエミッタから電気的に絶縁されています。この酸化膜は薄い性質があるため、その降伏電圧は通常 20 ~ 30 V に達します。したがって、静電気によっても IGBT のゲートが破壊され、損傷する可能性があるため、IGBT に静電気保護を施す必要があります。


現在、IGBT には 2 つの一般的な方法が使用されています。1 つは、帯電防止パールコットン + 帯電防止紙ボックスです。もう1つは、帯電防止プラスチックトレイ+帯電防止紙ボックスです。


前者のパッケージ(下図)は帯電防止パールコットンを使用しており、帯電防止機能は外部環境の温度や湿度によって変化します。乾燥した環境では、帯電防止効果が得られなくなる場合もあります。



後者のタイプのパッケージ (下図を参照) では、永久的な帯電防止素材で作られた帯電防止プラスチック トレイが使用されます。ただし、IGBT は硬い材質のため、輸送中の衝撃保護が不十分です。

この欠陥を回避するために、Shenzhen Yufa Polymer Products Co., Ltd. は IGBT のパッケージ材料を再選択し、再設計しました。包装材は永久帯電防止IXPEフォームを使用しており、湿気、腐食、衝撃、衝撃を防ぎ、安定した帯電防止機能を備えています。抵抗値は10^6~10^9Ωの範囲内で安定しており、環境温度や湿度の影響を受けません。

 

IGBTの保管には、安全で環境に優しく、安定した性能を持つ帯電防止IXPEフォーム製の帯電防止フォームトレイを使用しています。バッチ配信が正常に完了しました。以下は、ユーザー参照用のオリジナルの IGBT 図面、パッケージ設計図面、および帯電防止フォーム トレイの図面です。

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