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IGBTのパッケージアップグレードプランを推奨 2023-07-12
IGBT モジュールの MOSFET 構造により、IGBT のゲートは酸化膜層を介してエミッタから電気的に絶縁されています。この酸化膜は薄い性質があるため、その降伏電圧は通常 20 ～ 30 V に達します。したがって、静電気によっても IGBT のゲートが破壊され、損傷する可能性があるため、IGBT に静電気保護を施す必要があります。現在、IGBT には 2 つの一般的な方法が使用されています...
- IGBT
- ESDパッケージ
- ESDトレイ
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IGBT および MOSFET 用の ESD パッケージングソリューションはいくつありますか? 2024-01-21
静電気に敏感な IGBT および MOSFET は、製品の品質と安全性を確保するために、継続的で安定した帯電防止パッケージを使用する必要があります。したがって、Yufa Polymer Products Co., Ltd.は、ユーザーの参考のために次のケースを設計および製造しました。 ESD IXPE フォーム ESD EVAフォーム ESDプラスチック注入チューブ ESDプラスチック注入チュ...
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